LEEM-10A PN-liitoksen ominaisuuksien kokeellinen laite Esitelty kuva

LEEM-10A PN-liitoksen ominaisuuksien kokeellinen laitteisto

Lyhyt kuvaus:

Johdanto

Puolijohde-PN-liitoksen fysikaaliset ominaisuudet ovat yksi fysiikan ja elektroniikan tärkeistä perusmateriaaleista. Tämä laite käyttää fysikaalisten kokeiden menetelmää PN-liitoksen diffuusiovirran ja jännitteen välisen suhteen mittaamiseen, osoittaa, että tämä suhde noudattaa eksponentiaalista jakaumaa, ja mittaa Boltzmannin vakion (yksi fysiikan tärkeimmistä vakioista) tarkemmin, mikä antaa opiskelijoille mahdollisuuden oppia uuden menetelmän heikon virran mittaamiseen. Tämä laite tarjoaa lämmittimen vuorottelulämpötilatermostaatin PN-liitoksen jännitteen ja termodynaamisen lämpötilan T välisen suhteen mittaamiseksi anturin herkkyyden määrittämiseksi ja piimateriaalin energiavajeen likimääräiseksi määrittämiseksi 0 K:ssa. Tämä laite on vakaa ja luotettava, ja sillä on runsaasti fysikaalisten kokeiden sisältöä, selkeä konsepti, järkevä rakennesuunnittelu ja erittäin tarkat mittaustulokset. Tätä laitetta käytetään pääasiassa yleisissä fysikaalisissa kokeissa ja suunnittelututkimuksissa korkeakouluissa ja yliopistoissa.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Kokeet

1. PN-liitoksen diffuusiovirran ja liitosjännitteen välinen suhde mitataan, ja datankäsittelyn avulla osoitetaan, että tämä suhde noudattaa eksponentiaalista jakaumaa.

2. Boltzmannin vakio mitataan tarkemmin (virheen on oltava alle 2%).

3. Opi käyttämään operaatiovahvistinta virta-jännitemuuntimen muodostamiseen heikon virran mittaamiseksi 10:stä^-6A–10^-8A;

4. PN-liitosjännitteen ja lämpötilan välinen suhde mitataan ja liitosjännitteen herkkyys lämpötilalle lasketaan;

5. Laske puolijohdemateriaalin (pii) energiavaje likimääräisesti 0 K:n lämpötilassa.

Tekniset indeksit

1. Tasavirtalähde

Säädettävä 0–1,5 V tasavirtalähde;

Säädettävä 1mA-3mA tasavirtalähde.

2. LCD-mittausmoduuli

LCD-näytön resoluutio: 128 × 64 pikseliä

Kaksi digitaalista jänniteilmaisinta Alue: 0–4095 mV, resoluutio: 1 mV

Alue: 0–40,95 V, resoluutiosuhde: 0,01 V